拓扑绝缘体 Bi_{1-x}Sb_{x} 中磁电阻的振荡角依赖关系
材料科学
2015-05-14 v2
摘要
在拓扑绝缘体 Bi_{0.91}Sb_{0.09} 中研究了角依赖磁电阻和 Shubnikov-de Haas 振荡，其中二维表面态与三维体费米面共存。在角依赖关系中发现了两种不同类型的振荡现象：在较低场下观察到的一种振荡被证明源于位于 (2\bar{1}\bar{1}) 面上的表面态，这提供了一种区分二维表面态与三维费米面的新方法。另一种振荡在高场下变得显著，可能来自 (111) 面，且其起源明显未知，指向了拓扑绝缘体输运性质中的新物理。
引用
@article{arxiv.1001.1607,
title = {Oscillatory angular dependence of the magnetoresistance in a topological insulator Bi_{1-x}Sb_{x}},
author = {A. A. Taskin and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.1607},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures, revised version with improved data and analysis