角度依赖磁阻及其对 W2As3 中 Lifshitz 转变的启示
材料科学
2020-04-02 v1 强关联电子
摘要
Lifshitz 转变代表费米面结构的突然重构，导致材料电子性质的异常。这种转变不一定依赖于对称性破缺，因此是拓扑的。它是理解许多奇异量子现象起源的关键，例如拓扑 Dirac/Weyl 半金属中极大磁阻（MR）的机理。在此，我们报道了 W2As3 单晶中角度依赖磁阻（ADMR）与热电效应的研究。该化合物表现出极大的未饱和磁阻（在 4.2 K 和 53 T 下约为 70000%）。最引人注目的发现是，ADMR 在 40 K 以上从水平哑铃状显著变形为 30 K 以下的垂直莲花状图案。30–40 K 的窗口也对应于霍尔效应、热电势和能斯特系数的显著变化，意味着费米面拓扑的突变。这种温度诱导的 Lifshitz 转变导致了电子–空穴输运的补偿以及极大的磁阻。因此我们提出，当无法直接测量费米面时，类似方法可适用于探测多种量子态的费米面变化。
引用
@article{arxiv.2004.00314,
title = {Angle-dependent magnetoresistance and its implications for Lifshitz transition in W2As3},
author = {Jialu Wang and Haiyang Yang and Linchao Ding and Wei You and Chuanying Xi and Jie Cheng and Zhixiang Shi and Chao Cao and Yongkang Luo and Zengwei Zhu and Jianhui Dai and Mingliang Tian and Yuke Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.00314},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 5 figures