YbNi4P2中的各向异性塞曼分裂

重费米子材料的电子结构在低温下高度重整化，局域磁矩通过近藤效应贡献于电子激发谱。因此，由于重整化费米面部分上产生的微小有效费米能，重费米子材料极易发生Lifshitz相变。在此，我们研究在YbNi4P2中发现的高磁场下的Lifshitz相变。我们测量了诱发若干Lifshitz相变所需临界场的角依赖关系，发现其遵循具有各向异性g因子的简单塞曼移动模型。这凸显了形成重整化费米面的重准粒子的相干性质。我们提取了引发Lifshitz相变的费米面部分取向信息，并确定有效g因子的各向异性为 $\eta \approx 3.8$，与YbNi4P2的晶体场方案吻合良好。