YbRh2Si2 费米面的磁场依赖性
强关联电子
2009-02-03 v2
摘要
磁场诱导的费米面变化在 YbRh2Si2 奇异量子临界性的理论中起着核心作用。我们在 8 T <= H <= 16 T 的磁场范围内进行了 de Haas-van Alphen 测量，并直接观测到了极值费米面面积的磁场依赖性。我们的数据支持以下理论：包含 Yb 4f 准空穴的低场“大”费米面逐渐发生自旋分裂，直到一个多数自旋分支经历 Lifshitz 转变并在 H0 ~ 10 T 处消失，而无需在 H0 处发生 4f 局域化。
引用
@article{arxiv.0807.3970,
title = {Magnetic-Field Dependence of the YbRh2Si2 Fermi Surface},
author = {P. M. C. Rourke and A. McCollam and G. Lapertot and G. Knebel and J. Flouquet and S. R. Julian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3970},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, 1 table