UPt$_2$Si$_2$中场诱导的Lifshitz转变：极端条件下的费米面
强关联电子
2017-04-19 v3
摘要
我们在高达60 T的磁场和低至50 mK的温度下，测量了单晶UPtSi场诱导相的霍尔效应、磁输运和磁致伸缩。对于沿轴施加的磁场，我们在相边界处观察到霍尔效应的强烈变化。通过与利用铀5电子双重性质概念的能带结构计算结果进行比较，我们发现了由于至少一个Lifshitz转变导致的场诱导费米面拓扑变化的证据。此外，我们发现磁输运和磁致伸缩数据具有独特的历史依赖性，这表明Lifshitz型转变具有不连续的性质，正如对相互作用电子系统所预测的那样。
引用
@article{arxiv.1610.01212,
title = {Field induced Lifshitz transition in UPt$_2$Si$_2$: Fermi surface under extreme conditions},
author = {D. Schulze Grachtrup and N. Steinki and S. Süllow and Z. Cakir and G. Zwicknagl and Y. Krupko and I. Sheikin and M. Jaime and J. A. Mydosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.01212},
year = {2017}
}