YbRh2Si2的高场费米面
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们展示了在高于近藤抑制标度H0 ~ 10 T的磁场下YbRh2Si2的量子振荡测量结果。与电子结构计算的比较变得复杂，因为“小”费米面（其中Yb 4f准空穴不贡献费米体积）和“大”费米面（其中Yb 4f准空穴贡献费米体积）通过刚性能量偏移相关联。这意味着大费米面的自旋分裂支可以看起来像小费米面的未分裂支，反之亦然。因此，尽管实验测量的振荡频率的高场角度依赖性最类似于小费米面的电子结构预测，但这可能实际上是自旋分裂大费米面的一个支。
引用
@article{arxiv.0807.3726,
title = {The high-field Fermi surface of YbRh2Si2},
author = {P. M. C. Rourke and A. McCollam and G. Lapertot and G. Knebel and J. Flouquet and S. R. Julian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3726},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, LT25 conference proceeding, submitted to Journal of Physics: Conference Series