杂化控制重费米子体系中Ce 4f电子的费米面变化
强关联电子
2015-04-16 v3
摘要
我们对CeCoGe₁.₂Si₀.₈和CeCoSi₂进行了Ce 3d-4f共振角分辨光电子能谱测量，以理解重费米子体系中Ce 4f电子与传导电子之间杂化强度变化时的费米面拓扑结构。我们直接观察到CeCoSi₂的空穴型Ce 4f费米面小于CeCoGe₁.₂Si₀.₈的，这表明随着杂化强度的增加，Ce 4f费米面发生了演化。与LDA计算相比，尽管整体电子结构大致得到解释，但费米面的变化无法被理解，这表明了强关联效应的重要性。我们还讨论了Ce 4f费米面变化与Kondo峰之间的关系。
引用
@article{arxiv.0904.1008,
title = {Fermi Surface Variation of Ce 4f-electrons in Hybridization Controlled Heavy-Fermion Systems},
author = {H. J. Im and T. Ito and H. Miyazaki and S. Kimura and Y. S. Kwon and Y. Saitoh and S. -I. Fujimori and A. Yasui and H. Yamagami},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.1008},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 3 figures, submitted