CeCu$_{2}$Si$_{2}$费米面拓扑的第一性原理研究

自重量费米超导性在CeCu$_{2}$Si$_{2}$中被发现以来，该材料因其超导配对方式及其机制而引起广泛关注。因此，更深入地理解其电子费米面拓扑及其在强反亚磁性涨落中的作用至关重要。常规密度泛函理论方法不足以建模局域4{\it f}电子强动能相互作用及其与它动配orbital电子的杂化。我们使用Gutzwiller波函数近似对CeCu$_{2}$Si$_{2}$进行电子基态计算。Gutzwiller近似捕捉了由强动力相互作用引起的准粒子带重整合。我们通过变化相互作用强度并考虑晶体场分裂，对其对电子结构和费米面拓扑的影响进行了分析。利用de Haas van Alphen效应，计算了费米面横截面积，以量化准粒子质量重整合对费米面的影响。我们的结果确认两个费米面薄片对应于重量（488m$_{e}$）和轻量（4.35m$_{e}$）准粒子，这与实验测量结果以及重整合带方法的结果高度一致。