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重量费米子化合物 CeCoGe$_3$ 中平坡拓扑节点线

强关联电子 2026-05-14 v1

摘要

强电子相关性、非常规超导性与对称性保护拓扑性之间的相互作用为发现新奇量子态提供了肥沃土壤。本文利用密度泛函理论结合动力学均场理论计算,考察重量费米子材料 CeCoGe3_3 的相关电子结构与拓扑性质。我们的结果揭示了从高温非相干态向低温相干重量准粒子的横断现象,伴随 T=25T=25 K 时的质量增强 m/mDFT52.6m^*/m_{\text{DFT}}\sim 52.6。电子相关性、自旋轨道耦合与非中心对称 I4mmI4mm 晶体结构的相互作用稳定了 Fermi 能级附近 10 meV 内的平坡拓扑节点线,这可能显著贡献能态密度。拓扑节点线靠近费米面表明其在介导压力诱导非常规超导性方面可能发挥作用。我们的工作将 CeCoGe3_3 确立为原型拓扑节点线 Kondo 半导体。强相关性、非平凡带拓扑性与超导性的共存表明 CeCoGe3_3 可能是实现拓扑超导性的理想候选材料。

关键词

引用

@article{arxiv.2603.06966,
  title  = {Flat Topological Nodal Lines in Heavy-Fermion Compound CeCoGe$_3$},
  author = {Yuting Wang and Weikang Wu and Jianzhou Zhao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2603.06966},
  year   = {2026}
}