对“塞曼驱动的 Lifshitz 相变：YbRh2Si2 中实验观测到的费米面重构模型”的评论
强关联电子
2015-06-05 v1
摘要
在 Phys. Rev. Lett. 106, 137002 (2011) 中，A. Hackl 和 M. Vojta 提出用电子能带的塞曼诱导 Lifshitz 相变来解释 YbRh2Si2 的量子临界行为，该能带宽度比常规金属小约 6 个数量级。在此我们指出，所提议能带的超窄特性以及该场景本身，导致了与 YbRh2Si2 在其量子临界点附近观测到的显著特征在定性上不一致的性质。
引用
@article{arxiv.1207.0536,
title = {Comment on "Zeeman-Driven Lifshitz Transition: A Model for the Experimentally Observed Fermi-Surface Reconstruction in YbRh2Si2"},
author = {S. Friedemann and S. Paschen and C. Geibel and S. Wirth and F. Steglich and S. Kirchner and E. Abrahams and Q. Si},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.0536},
year = {2015}
}
备注
3 pages