WTe2 中温度诱导的 Lifshitz 转变
强关联电子
2017-03-21 v2
摘要
我们使用超高分辨率、可调谐、基于 VUV 激光的角分辨光电子能谱 (ARPES) 以及温度和磁场依赖的电阻率和热电势 (TEP) 测量来研究 WTe2 的电子性质，该化合物表现出异常大的、依赖于温度的磁电阻。TEP 的温度依赖性在 T=175 K 处显示斜率变化，且 Kohler 规则在 70-140 K 范围以上失效。费米面沿 X-Gamma-X 方向由两个电子袋和两个空穴袋对组成。从 40K 升高温度时，空穴袋逐渐沉到化学势以下。像 BaFe2As2 一样，WTe2 在温度适度变化驱动下费米面发生清晰且显著的变化。在 WTe2 中，这导致了罕见的温度诱导 Lifshitz 转变例子，伴随空穴袋的完全消失。这些电子结构的剧烈变化自然地解释了输运数据的不寻常特征。
引用
@article{arxiv.1506.03346,
title = {Temperature induced Lifshitz transition in WTe2},
author = {Yun Wu and Na Hyun Jo and Masayuki Ochi and Lunan Huang and Daixiang Mou and Sergey L. Bud'ko and P. C. Canfield and Nandini Trivedi and Ryotaro Arita and Adam Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03346},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures