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原始三维拓扑绝缘体的隧道磁电阻扫描

介观与纳米尺度物理 2015-01-13 v2

摘要

尽管三维拓扑绝缘体(TI)表面态的费米面具有零磁化强度,但完整费米面的任意片段都具有独特的磁矩,这与手头特定的自旋 - 动量锁定类型一致。我们提出了一种三端装置,该装置直接耦合到费米面选定片段的磁化强度,因此当与非磁性 TI 表面态耦合到自旋极化 STM 探针时,会导致有限的隧道磁电阻(TMR)响应。这种多端 TMR 不仅为原始 TI 的自旋 - 动量锁定提供了独特的特征,还直接测量了与 Bi2Te3Bi_2Te_3 相关的六边形扭曲费米面的动量分辨面外极化,其全面性可与自旋分辨 ARPES 相媲美。本文还在更广泛的二维自旋轨道(SO)材料背景下讨论了这种非常规 TMR 的意义。

关键词

引用

@article{arxiv.1407.4407,
  title  = {Tunnel Magnetoresistance scan of a pristine three-dimensional topological insulator},
  author = {Sthitadhi Roy and Abhiram Soori and Sourin Das},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4407},
  year   = {2015}
}

备注

Version accepted in Phys. Rev. B (Rapid Communications)