三维拓扑绝缘体表面结中输运的赝自旋阀效应
介观与纳米尺度物理
2016-07-21 v4
摘要
我们表明，由于表面上涌现的与动量无关的赝自旋（SU(2)）自由度的完全极化，原始三维拓扑绝缘体（TIs）的表面态类似于铁磁半金属。为使这一论断立足稳固，我们给出了垂直于晶体生长轴的 TI 表面的结果，其清楚地显示同一 TI 材料的两个此类 TI 表面之间的隧穿电导由这种半金属行为主导，导致令人联想到自旋阀的物理现象。进一步利用本文导出的广义隧穿磁阻，我们还研究了任意 TI 表面之间的隧穿电流。我们还全面研究了时间反演对称性所允许的所有可能表面势对此自旋阀效应的影响，并表明它对大多数此类势是鲁棒的。
引用
@article{arxiv.1502.07871,
title = {Pseudospin-valve effect on transport in junctions of three-dimensional topological insulator surfaces},
author = {Sthitadhi Roy and Krishanu Roychowdhury and Sourin Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07871},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 5 figures, 1 table, version published in New Journal of Physics