磁场下三维拓扑绝缘体 p-n 结的量子输运
介观与纳米尺度物理
2018-08-27 v1
摘要
本文从理论与数值两方面研究了磁场下三维拓扑绝缘体(TI)PN 结所呈现的新奇输运性质。该器件中的输运可由轴向磁场调控。具体而言,入射模与出射模之间的散射系数随轴向磁通以谐波形式振荡。在水平镜像对称条件下,谐波振荡的初相位取决于入射模与出射模的宇称。当施加垂直偏压时该对称性被破坏,导致在初相位上附加一个动力学相移。另一方面,表面无序会抑制振荡的振幅,但对振荡相位没有影响。此外,在垂直偏压的辅助下,可实现一种特殊的(1,-2)三维 TI PN 结,从而产生新奇的自旋进动现象。
引用
@article{arxiv.1808.07774,
title = {Quantum transport through three-dimensional topological insulator p-n junction under magnetic field},
author = {Ning Dai and Yan-Feng Zhou and Peng Lv and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.07774},
year = {2018}
}