磁性拓扑绝缘体中的单向 Seebeck 效应

我们基于半经典电子动力学与费米黄金规则，理论研究了具有面内磁化的磁性/非磁性拓扑绝缘体（TI）异质结构中依赖于温度梯度的或单向 Seebeck 效应（USE）。USE 具有量子起源，源于 TI 表面 Dirac 电子的磁子非对称散射。我们讨论了异质结构 Cr$_{x}$(Bi$_{1-y}$Sb$_y$)$_{2-x}$Te$_{3}$/ (Bi$_{1-y}$Sb$_{y})_2$Te$_{3}$ 中的 USE。USE 表现出对磁化方向（自 $y$ 方向测量）的 $\cos\phi$ 依赖关系。研究发现当系统从 $p$ 型掺杂转变为 $n$ 型掺杂时，USE 的符号保持不变。USE 在高温下呈现反线性温度依赖关系。