三维拓扑绝缘体/磁绝缘体界面的磁邻近效应
材料科学
2013-11-25 v1
摘要
磁邻近效应是由拓扑绝缘体和磁性材料层组成的异质结构的基本特征，因为它支撑了许多具有新颖量子功能器件的潜在应用。在密度泛函理论框架内，我们以BiSe/MnSe(111)系统为例，研究了三维拓扑绝缘体/磁绝缘体（TI/MI）界面的磁邻近效应。我们证明，在界面附近区域出现了一个有能隙的普通束缚态，其能谱依赖于界面势。由于拓扑绝缘体向更深原子层的重新定位，系统中也出现了有能隙的拓扑狄拉克态。狄拉克锥中的能隙源于拓扑态和普通界面态的重叠。这一结果也得到了解析模型的证实，是TI/MI结构中磁邻近效应机制的一个关键方面。
引用
@article{arxiv.1304.1275,
title = {Magnetic proximity effect at the 3D topological insulator/magnetic insulator interface},
author = {S. V. Eremeev and V. N. Men'shov and V. V. Tugushev and P. M. Echenique and E. V. Chulkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1275},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 3 figures