石墨烯与拓扑绝缘体耦合中拓扑近邻效应的证据
介观与纳米尺度物理
2017-07-06 v1 材料科学
摘要
为了实现量子自旋霍尔态，石墨烯中拓扑序的出现备受期待。近期理论提出，拓扑绝缘体中表面态的自旋结构可通过近邻效应直接转移到石墨烯上。在此，我们通过磁输运测量报道了在石墨烯-拓扑绝缘体 Bi2Se3 异质结中观察到的拓扑近邻效应。通过施加垂直负磁场，可以增强石墨烯的 p_z 轨道与 Bi2Se3 底面表面态 p 轨道之间的耦合，导致狄拉克点处出现高达约 -91% 的巨负磁阻。在混合器件中，还观察到转移曲线在狄拉克点处出现明显的电阻率下降，这与继承了 Bi2Se3 表面态独特自旋结构的畸变狄拉克能带的理论预测相一致。
引用
@article{arxiv.1610.03644,
title = {Evidence for topological proximity effect in graphene coupled to topological insulator},
author = {Liang Zhang and Ben-Chuan Lin and Yan-Fei Wu and Jun Xu and Dapeng Yu and Zhi-Min Liao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03644},
year = {2017}
}