拓扑绝缘体上外延石墨烯中的近邻诱导巨自旋 - 轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1 材料科学
计算物理
摘要
石墨烯和拓扑绝缘体等狄拉克材料的异质结构为探索固体中电子的奇异量子态提供了有趣的平台。在此，我们利用密度泛函理论和紧束缚方法研究了石墨烯-Sb2Te3 异质结构的电子结构。我们表明，由于靠近拓扑绝缘体 Sb2Te3，其上的外延石墨烯转变为量子自旋霍尔相。研究发现，外延石墨烯产生了约 20 meV 的巨自旋轨道能隙，这比本征石墨烯的大约三个数量级。我们讨论了这种自旋轨道相互作用增强的起源，以及石墨烯中自旋霍尔相的可能结果。
引用
@article{arxiv.1206.3608,
title = {Proximity-induced giant spin-orbit interaction in epitaxial graphene on topological insulator},
author = {Kyung-Hwan Jin and Seung-Hoon Jhi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3608},
year = {2015}
}