Ge(111)表面下由Rashba自旋轨道耦合引起的单向塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2023-04-05 v1
摘要
一种新型非线性磁热效应，即单向塞贝克效应(USE)，最近在磁性/非磁性拓扑绝缘体(TI)异质结构中得到报道，并被归因于不对称磁子散射。在此，我们展示了在Rashba二维电子气(2DEG)中产生USE的一种新机制，其中完全不存在磁性或磁序。研究发现，USE具有量子起源，来自Rashba自旋轨道耦合产生的自旋-动量锁定。我们发现，USE对磁场相对于温度梯度方向的取向呈正弦依赖关系，且主要来自Lifshitz点以上的态。本文从理论和系统上研究了半导体Ge(111)表面下态中的USE。
引用
@article{arxiv.2304.01683,
title = {Unidirectional Seebeck effect from Rashba spin-orbit coupling on the subsurface of Ge(111)},
author = {Ge-Hui Zhu and Ying-Li Wu and Jia-Liang Wan and Xiao-Qin Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.01683},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 4 figures