磁性拓扑绝缘体中的有限温度涨落诱导序与响应

Marius Scholten; Jorge I. Facio; Rajyavardhan Ray; Ilya M. Eremin; Jeroen van den Brink; Flavio S. Nogueira

doi:10.1103/PhysRevResearch.3.L032014

磁性拓扑绝缘体中的有限温度涨落诱导序与响应

强关联电子 2021-07-14 v2 介观与纳米尺度物理高能物理 - 理论

作者: Marius Scholten , Jorge I. Facio , Rajyavardhan Ray , Ilya M. Eremin , Jeroen van den Brink , Flavio S. Nogueira

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摘要

我们推导了磁性拓扑绝缘体的有效场论模型，并预言在其体相有序温度以上，表面仍持续存在磁性电子能隙。我们的分析也适用于由铁磁体与拓扑绝缘体构成的异质结构界面。为了对 MnBi $_2$ Te $_4$ 以及 EuS-Bi $_2$ Se $_3$ 异质结构作出定量预言，我们将有效场论方法与密度泛函理论和蒙特卡洛模拟相结合。对于 MnBi $_2$ Te $_4$ ，我们预言表面尼尔温度最多上移 $15\%$ ，而 EuS-Bi $_2$ Se $_3$ 界面则表现出较小的相对偏移。该有效理论还预言了诱导的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用与拓扑磁电效应，二者均具有有限温度与化学势依赖性。

关键词

磁性拓扑绝缘体有限温度涨落诱导序有效场论 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用拓扑磁电效应

引用

@article{arxiv.2101.08645,
  title  = {Finite temperature fluctuation-induced order and responses in magnetic topological insulators},
  author = {Marius Scholten and Jorge I. Facio and Rajyavardhan Ray and Ilya M. Eremin and Jeroen van den Brink and Flavio S. Nogueira},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.08645},
  year   = {2021}
}

备注

v2: published version, LaTeX 15 pages, 5 figures

磁性拓扑绝缘体中的有限温度涨落诱导序与响应

摘要

关键词

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