磁性拓扑绝缘体中的强各向异性自旋动力学

磁性拓扑绝缘体的近期发现为探索由拓扑电子态与磁自由度（有序或强涨落）之间的相互作用所涌现的奇异物质态开辟了新途径。受磁矩动力学对拓扑表面态可能产生的影响所驱动，我们研究了(MnBi$_{\text{2}}$Te$_{\text{4}}$)(Bi$_{\text{3}}$)$_{\text{n}}$族中的磁涨落。我们的顺磁电子自旋共振实验揭示了不同化合物中对比鲜明的Mn自旋动力学，表现为MnBi$_{\text{2}}$Te$_{\text{4}}$中强烈的各向异性Mn自旋弛豫，而在MnBi$_{\text{4}}$Te$_{\text{7}}$中几乎各向同性。我们的密度泛函计算从局域电子结构对Mn自旋取向的敏感性角度解释了这些显著观测，并指出磁涨落的各向异性可由载流子密度调控，这可能直接影响电子拓扑表面态。