拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜中厚度无关的输运通道
材料科学
2012-09-14 v3
摘要
利用高质量拓扑绝缘体(TI) Bi2Se3薄膜，我们报道了在宽厚度范围内厚度无关的输运性质。当样品厚度从256 QL变化至约8 QL（QL: quintuple layer，1 QL ≈ 1 nm）时，电导名义上保持恒定。识别出两个行为截然不同的表面通道。其中一个通道的薄层载流子密度低至2 QL时仍保持在约3.0 × 10^13 cm^-2不变，而另一个表现出量子振荡的通道则仅低至约8 QL时保持在约8 × 10^12 cm^-2不变。弱反局域化参数也表现出类似的厚度无关性。这两个通道分别与拓扑表面态和表面累积层最为一致。
引用
@article{arxiv.1104.5709,
title = {Thickness-independent transport channels in topological insulator Bi2Se3 thin films},
author = {Namrata Bansal and Yong Seung Kim and Matthew Brahlek and Eliav Edrey and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.5709},
year = {2012}
}
备注
To appear in Phys. Rev. Lett