拓扑绝缘体表面态上自旋-电能转换的普适标度
材料科学
2016-07-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用自旋泵浦技术研究了体绝缘拓扑绝缘体（TI）材料表面态上的自旋-电能转换。样品结构为 Ni-Fe|Cu|TI 三层膜，由于插入了 Cu 层，TI 表面的磁邻近效应可忽略不计。由自旋-电能转换产生的电压信号被清晰观察到，并随温度降低而增强，这与低温下主导的表面输运相符。自旋-电能转换的效率对于体态电阻率更高、表面态平均自由程更长的 TI 样品更大，这与表面自旋-电能转换一致。
引用
@article{arxiv.1604.00751,
title = {Universal scaling for the spin-electricity conversion on surface states of topological insulators},
author = {K. T. Yamamoto and Y. Shiomi and Kouji Segawa and Yoichi Ando and E. Saitoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.00751},
year = {2016}
}