拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的化学势依赖性映射
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1
摘要
我们报道了拓扑绝缘体器件中表面电流的电流诱导自旋极化的电学测量，其中体相和表面传导的贡献可以通过电学栅压来解耦。该器件使用铁磁隧道结(permalloy/Al2O3)作为背栅(Bi,Sb)2Te3沟道上的自旋探测器。当探测器铁磁体的磁化方向切换至与表面电流自旋极化方向平行或反平行时，我们观察到迟滞电压信号。检测到的电压变化幅度与(Bi,Sb)2Te3沟道中施加的直流偏置电流呈线性关系。随着化学势从体带调控至表面态能带，我们观察到在静电栅压范围内自旋相关电压增强了高达300%。利用一个简单模型，我们提取了电荷中性点(即 Dirac 点)附近的自旋极化。
引用
@article{arxiv.1507.07063,
title = {Mapping the chemical potential dependence of current-induced spin polarization in a topological insulator},
author = {Joon Sue Lee and Anthony Richardella and Danielle Reifsnyder Hickey and K. Andre Mkhoyan and Nitin Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07063},
year = {2015}
}