表面极性III族氮化物量子阱与MoS$_2$单层的激子相互作用
介观与纳米尺度物理
2024-09-23 v3 应用物理
摘要
III族氮化物宽禁带半导体表现出大的激子束缚能，在室温下保持强激子效应。另一方面，包括MoS在内的半导体二维(2D)材料也表现出强激子效应，这归因于增强的库仑相互作用。本研究通过改变这两个激子体系之间的间距，探究了范德瓦耳斯异质结构中表面GaN量子阱(QW)与2D MoS之间的激子相互作用。光学性质研究首先证明了通过MoS包覆对GaN表面缺陷态的有效钝化。此外，观察到MoS单层与GaN QW激子跃迁之间的强相互作用。这凸显了2D材料/III族氮化物QW体系在研究近场相互作用（如Förster共振能量转移）方面的价值，其可基于此类混合激子结构开辟新型光电器件。
引用
@article{arxiv.2308.10687,
title = {Excitonic interplay between surface polar III-nitride quantum wells and MoS$_2$ monolayer},
author = {Danxuan Chen and Jin Jiang and Thomas F. K. Weatherley and Jean-François Carlin and Mitali Banerjee and Nicolas Grandjean},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.10687},
year = {2024}
}
备注
Corrected error bars in Fig. 3