单Mn掺杂InAs/GaAs量子点的磁各向异性
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们报道了在平行或垂直于光轴的磁场中，对单个Mn原子掺杂的InAs/GaAs量子点(QD)的微光致发光光谱研究。在两种情况下，正三子(X+)的光谱特征都分裂为强圆偏振分量，这一效应在垂直磁场中尤为令人惊讶。场致分裂归因于Mn杂质产生的中性受主复合体A0的横向塞曼分裂，而圆光学选择规则则源于p-d交换作用，该作用如同一个极强的纵向磁场，抑制了量子点重空穴基态在横向场中的自旋混合。一个包含(i)受主能级经历的局域应变各向异性和(ii)由Mn偏心位置导致的各向异性交换的自旋相互作用理论模型，与我们的观测结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.0909.0877,
title = {Magnetic anisotropy of singly Mn-doped InAs/GaAs quantum dots},
author = {Olivier Krebs and Emile Benjamin and Aristide Lemaître},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.0877},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures