超高磁场下单个InAs/GaAs自组装量子结构中的非线性激子自旋分裂
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了在高达B=28 T的磁场中，单个InAs/GaAs量子点(QDs)和量子点分子(QDMs)中激子自旋分裂和抗磁频移的磁场色散。仅对于具有强几何约束的系统，色散可以用简单的场依赖性很好地描述，而对于约束较弱的量子点，则观察到显著偏差：最重要的是，在高场极限下，自旋分裂显示出对B的非线性依赖性，清楚地表明价带基态中存在轻空穴混合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503271,
title = {Non-linear exciton spin-splitting in single InAs/GaAs self-assembled quantum structures in ultrahigh magnetic fields},
author = {A. Babinski and G. Ortner and S. Raymond and M. Potemski and M. Bayer and P. Hawrylak and A. Forchel and Z. Wasilewski and S. Fafard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503271},
year = {2009}
}