空穴掺杂单层 GaSe 中的可调磁性与半金属性
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1 材料科学
计算物理
摘要
我们通过第一性原理计算发现，空穴掺杂会在单层 GaSe 中诱导铁磁相变。随着空穴密度的增加，每个载流子的平均自旋磁矩随之增大，并在 /cm 至 /cm 的密度范围内达到约 1.0 /载流子的平台，此时体系处于半金属态，随后磁矩开始急剧下降。预测的磁性源于价带顶电子态的自旋交换劈裂，在该准二维体系中，价带顶的态密度呈现出尖锐的范霍夫奇点。
引用
@article{arxiv.1409.4112,
title = {Tunable Magnetism and Half-Metallicity in Hole-doped Monolayer GaSe},
author = {Ting Cao and Zhenglu Li and Steven G. Louie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4112},
year = {2015}
}