自组装 InAs/GaAs 量子点中应变调控激子耦合的理论
材料科学
2015-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用 Bir-Pikus 模型解析推导了自组装 InAs/GaAs 量子点在外部应力下激子精细结构分裂（FSS）的变化。我们发现 FSS 的变化主要归因于应变诱导的价带混合与价带-导带耦合。应变下的激子偏振角由电子-空穴非对角交换积分的幅角决定。该理论与经验赝势计算吻合良好。
引用
@article{arxiv.1401.2695,
title = {Theory of strain tunning exction coupling in self-assembled InAs/GaAs quantum dots},
author = {Jianping Wang and Guang-Can Guo and Lixin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2695},
year = {2015}
}