应变I型半导体纳米环中反交叉诱导的光学激子Aharonov-Bohm效应
介观与纳米尺度物理
2010-03-03 v1
摘要
计算了嵌入GaAs基质中的应变(In,Ga)As纳米环中的激子态。应变分布从连续力学模型中提取,并采用精确对角化方法计算激子态。基态激子能量随垂直于环的磁场的弱振荡是激子Aharonov-Bohm效应的表现。这些振荡源于基态和第二激子态之间的反交叉,并可通过增加环宽来增强。同时,激子复合的振子强度表现出振荡,这些振荡叠加在随磁场的线性增加之上。将所得结果与先前一维环的理论结果进行对比,并解释差异源于电子和空穴不同的限制势,以及所分析I型环中存在的大抗磁位移。此外,我们的理论与先前对II型InP/GaAs量子点的光致发光测量结果定性吻合。
引用
@article{arxiv.1003.0467,
title = {Anticrossing-induced optical excitonic Aharonov-Bohm effect in strained type-I semiconductor nanorings},
author = {M. Tadić and N. Čukarić and V. Arsoski and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0467},
year = {2010}
}
备注
8 pages, 5 figures