纳米环中激子的阿伏伽德罗-博姆效应

理论研究了磁场对 InAs 纳米环中激子的作用。通过数值对有效质量哈密顿量进行对角化，该哈密顿量可分解为中心坐标和相对坐标之间的项，我们计算了环宽度和外部磁场强度下低能激子能级及振荡强度。对于窄宽度纳米环可获得解析结果，其中径向运动是最快的运动， adiabatically 从极化运动中脱离。结果表明，在库仑相关性存在的情况下，纳米环中存在有限（但较小的）宽度的阿伏伽德罗-博姆效应。然而，随着环宽度增大，纳米环的非简单连通几何被破坏，从而导致阿伏伽德罗-博姆效应的抑制。计算的低能激子态条件概率分布允许识别阿伏伽德罗-博姆效应的存在。我们也计算了随磁场变化的线性光学透导率，以便与未来对 InAs 纳米环光学发射实验的测量结果进行比较。