InAs/GaAs 量子点中激子极化子的直接观测
材料科学
2007-08-15 v2
摘要
本文首次利用光致发光方法在 InAs/GaAs 量子点中直接证实了激子极化子的存在。随着温度从 4.2 K 变化到 285 K，在激子基态（s）下方出现了一个新峰（），并在 225 K 处观察到 与 之间高达 31 meV 的巨大反交叉能量，这只能用激子极化子的形成来解释。结果也为 Huang-Rhys 公式在处理量子点中载流子 - 纵向光学声子相互作用时的失效提供了有力证据。相反，我们提出了一个简单的双能带模型，该模型与实验数据拟合得非常好。文中还讨论了发现反交叉现象的原因。
引用
@article{arxiv.0708.0468,
title = {Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots},
author = {Ming Gong and Chuan-Feng Li and Geng Chen and Lixin He and F. W. Sun and Guang-Can Guo and Zhi-Chuan Niu and She-Song Huang and Yong-Hua Xiong and Hai-Qiao Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0468},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 3 figures