层状准二维纳米结构中介电极化激子的复合体
介观与纳米尺度物理
2018-04-24 v1
摘要
我们讨论由层状准二维半导体异质结构中间接激子形成的中性与带电复合体(双激子与三激子)。间接激子——不同层中的电子与空穴组成的长寿命中性库仑束缚对——在半导体耦合量子阱中已为人所知,并最近在诸如双层石墨烯与过渡金属硫族化合物的范德瓦耳斯异质结构中被报道。利用构型空间方法,我们推导出三激子与双激子束缚能作为层间距函数的解析表达式。该方法抓住了复合体形成的基本运动学,揭示出显著的束缚能,对于典型层间距 ~3-5 A 可达数十 meV,且三激子束缚能始终大于双激子束缚能。我们的结果有助于理解更复杂的多体现象,如激子玻色-爱因斯坦凝聚与层状半导体异质结构中的类 Wigner 电子-空穴结晶。
引用
@article{arxiv.1712.10312,
title = {Complexes of dipolar excitons in layered quasi-two-dimensional nanostructures},
author = {Igor V. Bondarev and Maria R. Vladimirova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.10312},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 4 figures, 105 references. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1605.02348