准一维半导体中激子复合物的相对稳定性
介观与纳米尺度物理
2015-12-07 v2
摘要
开发了一种构型空间方法，以揭示准一维半导体中最低能量中性及带电激子复合物（双激子和三激子）的普遍稳定性特征。研究表明，在具有小约化电子 - 空穴质量的强受限结构中，三激子比双激子更稳定；而在具有大约化电子 - 空穴质量的弱受限结构中，双激子则更为稳定。特别是在半导体碳纳米管中，三激子结合能约为双激子的 1.4 倍，且该比值随直径增大而减小，从而揭示了近期实验观测结果背后的基本物理原理。
引用
@article{arxiv.1405.0777,
title = {Relative stability of excitonic complexes in quasi-one-dimensional semiconductors},
author = {I. V. Bondarev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.0777},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures; revised: fig.1 updated, abstract and text revised, more info added