GaAs 双量子阱中的隧穿阻塞与单光子发射
介观与纳米尺度物理
2018-10-17 v1 光学
摘要
我们报道了 GaAs 双量子阱（DQW）中单杂质束缚激子态的选择性激发。该结构由被薄隧穿势垒耦合的两个量子阱（QWs）组成。DQW 受横向电场作用以产生空间间接的阱间激子，其电子与空穴位于不同 QW 中。我们表明，量子阱内带电激子（trions）的存在阻塞了载流子跨势垒隧穿以形成间接激子，从而在其发射谱中打开一个能隙。此行为归因于 trions 的低束缚能。在隧穿阻塞区间内，发射变为由束缚于单个浅杂质上的激子参与的过程主导，这些激子表现为由共振隧穿激活的两能级中心。发射的量子性质由反聚束光子发射统计所证实。窄的发射能量分布（~meV）以及与 QW 的电学连接使这些单激子中心成为单光子源应用的有趣候选者。
引用
@article{arxiv.1807.10102,
title = {Tunneling blockade and single-photon emission in GaAs double quantum wells},
author = {M. Yuan and A. Hernández-Mínguez and K. Biermann and P. V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10102},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures plus supplementary materials