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宽单量子阱中的高迁移率间接激子

介观与纳米尺度物理 2018-12-05 v1

摘要

间接激子(IXs)是束缚于空间分离层中的电子与空穴对。我们展示了具有高IX迁移率、光谱窄IX发射、电压可控IX能量以及长且电压可控IX寿命的宽单量子阱(WSQW)异质结构。这组性质表明,WSQW异质结构为研究低无序环境中IX的基本属性以及开发高迁移率激子器件提供了一个先进的平台。

关键词

引用

@article{arxiv.1810.01057,
  title  = {High-mobility indirect excitons in wide single quantum well},
  author = {C. J. Dorow and M. W. Hasling and D. J. Choksy and J. R. Leonard and L. V. Butov and K. W. West and L. N. Pfeiffer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1810.01057},
  year   = {2018}
}