层间激子二极管与晶体管
介观与纳米尺度物理
2022-08-22 v2 材料科学
量子物理
摘要
控制电中性层间激子（IX）准粒子的流动有望实现低损耗激子电路。在此，我们报道了 MoSe-WSe 异质结构中 IX 沿纳米尺度静电定义通道的单向输运。这些结果得益于石墨烯栅极中光刻定义的三角形刻蚀所创造的势能“滑道”。通过时空分辨光致发光测量，我们测得沿结构平滑变化的 IX 能量，以及高达 2 * 10 cm/s 的高速激子流，较既往实验高一个数量级。此外，可利用第二激光脉冲饱和通道内激子布居来控制激子流，展示了光门控激子晶体管。我们的工作为低损耗激子电路、一维通道中玻色输运研究，以及范德瓦耳斯异质结构中激子的定制势能景观铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2203.09444,
title = {Interlayer Exciton Diode and Transistor},
author = {Daniel N. Shanks and Fateme Mahdikhanysarvejahany and Trevor G. Stanfill and Michael R. Koehler and David G. Mandrus and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Brian J. LeRoy and John R. Schaibley},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.09444},
year = {2022}
}