电场和磁场中耦合量子阱中激子有效质量的增强
介观与纳米尺度物理
2016-02-17 v2
摘要
我们计算了在垂直于量子阱平面施加的电场和磁场存在下，半导体耦合量子阱（CQWs）中的激子态。在三维实空间中求解激子薛定谔方程，以获得直接激子和间接激子的朗道能级。通过计算激子能级和振子强度，可以绘制激子吸收谱对电场和磁场的依赖关系图。对于系统的基态，我们评估了玻尔半径、光学寿命、结合能和偶极矩。使用微扰方法计算了由磁场引起的激子质量重整化。我们预测激子基态有效质量对磁场具有非单调依赖性。这种趋势可以用经典图像来解释，即随着磁场的增加，基态从间接激子趋向于直接激子。
引用
@article{arxiv.1502.07094,
title = {Exciton effective mass enhancement in coupled quantum wells in electric and magnetic fields},
author = {J. Wilkes and E. A. Muljarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07094},
year = {2016}
}
备注
20 pages, 7 figures