自组装 InAs/InP 量子点的电子结构：与自组装 InAs/GaAs 量子点的比较
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们使用原子赝势方法研究了 InAs/InP 量子点的电子结构，并将其与 InAs/GaAs 量子点进行比较。我们表明，尽管 InAs/InP 和 InAs/GaAs 量子点具有相同的点材料，但它们的电子结构在某些方面存在显著差异，尤其是对于空穴：(i) 在相应尺寸下，InAs/InP 量子点中的空穴能级间距远大于 InAs/GaAs 量子点。(ii) 此外，在 InAs/GaAs 量子点中，相当大的空穴 、 壳层内能级分裂破坏了能级壳层结构；与此相反，InAs/InP 量子点具有明确的能级壳层结构，其空穴的 、 能级分裂很小。(iii) 计算得出 InAs/InP 量子点的基态激子能量约为 0.8 eV（ 1.55 m），比典型的 InAs/GaAs 量子点低约 200 meV，这主要是由于 InAs/InP 量子点中较小的晶格失配。(iv) InAs/InP 量子点中激子 壳层和 壳层的宽度远窄于 InAs/GaAs 量子点。(v) InAs/GaAs 和 InAs/InP 量子点沿 [100] 和 [10] 方向具有相反的光偏振各向异性。
引用
@article{arxiv.0708.3469,
title = {Electronic structure of self-assembled InAs/InP quantum dots: A Comparison with self-assembled InAs/GaAs quantum dots},
author = {Ming Gong and Kaimin Duan and Chuan-Feng Li and Rita Magri and Gustavo A. Narvaez and Lixin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3469},
year = {2009}
}