应变InP/GaInP量子点的电子结构
材料科学
2009-10-30 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们计算了嵌入 中的纳米尺度 InP 岛的电子结构。计算采用包络近似，并包含了应变、压电极化以及6个价带之间的混合效应。电子被限制在整个岛内，而空穴则被限制在应变诱导的势阱中。一个势阱在岛底部靠近衬底界面处形成一个环，另一个则位于 GaInP 中岛的上方。这两组空穴态是退耦合的。针对两种类型的空穴态，计算了偏振相关的偶极矩阵元。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9705291,
title = {Electronic structure of strained InP/GaInP quantum dots},
author = {Craig Pryor and M-E. Pistol and L. Samuelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9705291},
year = {2009}
}
备注
Typographical error corrected in strain Hamiltonian