嵌入量子点中应变诱导导带最小值的预测
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
自由站立InP量子点先前已在理论和实验上被证明在广泛的可实验获得的尺寸范围内具有直接带隙。我们证明，当这些量子点被相干地嵌入GaP势垒材料中时，量子限制效应与相干应变的结合表明存在一个临界量子点直径（60Å），高于该直径时量子点为直接、I型，低于该直径时为间接、II型。然而，系统中的应变作用产生另一个能量更低的导带态，其中电子被局域在InP量子点与GaP势垒界面处的小口袋中。由于该导带态源自GaP X_1c，而最高占据价带态源自InP Γ，因此预测基本跃迁在实空间和倒空间都是间接的（“II型”），适用于所有量子点尺寸。这种效应是应变量子点特有的，在自由站立量子点中不存在。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9801191,
title = {Prediction of a Strain Induced Conduction Band Minimum in Embedded Quantum Dots},
author = {A. J. Williamson and Alex Zunger and A. Canning},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9801191},
year = {2009}
}