由不同尺寸量子点构成的 (In,Ga)As/GaAs 量子点分子的电子结构
材料科学
2015-06-25 v2 量子物理
摘要
使用单粒子赝势和多粒子组态相互作用方法，我们比较了由不同量子点（异极 QDM）构成的 (In,Ga)As/GaAs 量子点分子（QDM）与由相同量子点构成的 QDM（同极 QDM）的各种物理量。计算表明，在大的量子点间距下，异极 QDM 和同极 QDM 的电子结构存在显著差异。特别是 (i) 与同极 QDM 不同，异极 QDM 的单粒子分子轨道在大的量子点间距下转变为量子点局域轨道。(ii) 因此，在异极 QDM 中，大的量子点间距下分子轨道的成键-反键分裂显著大于电子跳跃能，而对于同极 QDM，成键-反键分裂与跳跃能非常相似。(iii) QDM 的不对称性显著增加了双电子基态的双占据，从而影响了两个电子的纠缠程度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610652,
title = {Electronic structures of (In,Ga)As/GaAs quantum dot molecules made of dots with dissimilar sizes},
author = {Lixin He and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610652},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 11 figures