处于负和正离散电荷态的单半导体量子点的光谱研究
材料科学
2015-06-24 v1
摘要
我们研究了嵌入在混合型量子结构宽量子阱中的单个自组装量子点的光学特性。我们将这些量子点的稳态和脉冲光致发光光谱与先前研究的“常规”量子点进行了比较。我们在实验上明确无误地识别了来自量子点各种离散电荷态的发射。我们提供了在负和正电荷态下光学调节量子点电荷态的方法。我们的观测结果被用于精确确定量子点中受限电子与空穴包络波函数之间的不对称性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104142,
title = {Spectroscopy of a single semiconductor quantum dot at negative and positive discrete charge states},
author = {D. V. Regelman and E. Dekel and D. Gershoni and E. Ehrenfreund and W. V. Schoenfeld and P. M. Petroff},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104142},
year = {2015}
}
备注
accepted to Proceedings of the 25-th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 25), 17-22 September (2000),Osaka, Japan