基于III-V纳米线/SiN混合集成的片上不可区分光子
量子物理
2023-08-22 v1
摘要
我们展示了基于纳米线量子点的片上不可区分光子生成。从包含定位可控单点纳米线阵列的生长衬底中，我们选取单根纳米线置于基于Si的芯片上制备的SiN波导上。量子点发射到SiN波导的耦合通过锥形纳米线中的倏逝模实现。使用连续波激发、在带隙以上及量子点p壳层内进行的后选双光子干涉可见度均为100%，与具有可忽略多光子发射概率的单光子源一致。使用脉冲激发测得的整个光波包上的可见度，在准共振激发时降低了5倍，在带隙以上激发时降低了10倍。我们利用对发射光子相干性和线宽的附加测量，研究了激发时序抖动、谱扩散和纯退相在限制光子时间范围内可见度中的作用。
引用
@article{arxiv.2308.10215,
title = {On-chip indistinguishable photons using III-V nanowire/SiN hybrid integration},
author = {Edith Yeung and David B. Northeast and Jeongwan Jin and Patrick Laferrière and Marek Korkusinski and Philip J. Poole and Robin L. Williams and Dan Dalacu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.10215},
year = {2023}
}