氮化镓中室温量子发射体的可控外延
材料科学
2026-01-19 v1 其他凝聚态物理
摘要
在成熟的半导体平台上于室温下产生量子光的能力,为量子技术开辟了新的可能性。硅衬底上氮化镓的异质外延生长提供了利用现有专业知识和晶圆级制造的优势,将这种材料中明亮的量子发射体集成到腔、二极管和光子电路中。迄今为止,仅能在蓝宝石衬底上在不可控的深度处生长 GaN 量子发射体,这对潜在的器件架构是不利的。在此,我们报告了一种通过应用硅烷处理及随后生长 3D 岛的方法,利用金属有机气相外延在晶体中可控深度处制备 GaN 量子发射体。我们在具有高度技术相关性的硅衬底上展示了这一工艺,制备出具有高 Debye-Waller 因子和强反聚束发射的室温量子发射体。
引用
@article{arxiv.2601.11309,
title = {Controlled epitaxy of room-temperature quantum emitters in gallium nitride},
author = {Katie M. Eggleton and Joseph K. Cannon and Sam G. Bishop and John P. Hadden and Chunyu Zhao and Menno J. Kappers and Rachel A. Oliver and Anthony J. Bennett},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.11309},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 5 figures