三元 III-As 异质结构纳米线中界面和纳米尺度组分调制的直接观测
介观与纳米尺度物理
2013-08-26 v1 材料科学
摘要
生长了具有多个 GaInAs 段的直轴 InAs 纳米线。高分辨率 X 射线能量色散谱（EDS）映射揭示了 III 族原子在轴向界面和侧壁的分布。在 GaInAs/InAs 界面观察到显著的 Ga 富集，并伴随结构变化，且早期生长的 GaInAs 段具有更高的 Ga 浓度。元素图谱和 EDS 线轮廓表明，在侧壁之间的刻面交界处存在 Ga 富集。三元合金的相对化学势以及液 - 固转变的热力学驱动力解释了富集背后的生长机制。
引用
@article{arxiv.1308.5089,
title = {Direct Observation of Interface and Nanoscale Compositional Modulation in Ternary III-As Heterostructure Nanowires},
author = {Sriram Venkatesan and Morten H. Madsen and Herbert Schmid and Peter Krogstrup and Erik Johnson and Christina Scheu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5089},
year = {2013}
}
备注
12 Pages, 4 figures