化合物纳米线的双吸附原子扩散限制生长模型：应用于 InAs 纳米线
材料科学
2024-01-30 v1
摘要
我们提出了一个双吸附原子扩散限制模型，用于描述化合物半导体纳米线通过气-液-固或气-固-固机制的生长。生长由液态或固态纳米颗粒催化。我们使用分子束外延反应器中金纳米颗粒催化的 InAs 纳米线生长实验数据验证了该模型。首先，我们确定了在两种束流之一（例如，III 族或 V 族原子）过量的条件下描述纳米线生长的参数（扩散长度、到达种子的通量、开尔文效应）。扩散限制模型计算了由到达种子的原子流所产生的生长速率。我们的双吸附原子扩散限制模型针对化合物半导体，计算了在给定时间由两种原子中较小的流所产生的瞬时生长速率。我们应用该模型分析了 InAs 纳米线在覆盖从 As 限制到 In 限制状态转变的生长条件下的长度-半径依赖性。最后，该模型还描述了两种状态之间的转变对纳米线半径和长度的复杂依赖性。这种方法是通用的，可用于研究任何化合物半导体纳米线的生长。
引用
@article{arxiv.2401.16269,
title = {Dual-adatom diffusion-limited growth model for compound nanowires: Application to InAs nanowires},
author = {Danylo Mosiiets and Yann Genuist and Joël Cibert and Edith Bellet-Amalric and Moïra Hocevar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16269},
year = {2024}
}