InAs-InAlAs 核壳纳米线中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2014-09-11 v3 材料科学
摘要
本文提供了通过外延生长 InAlAs 壳层对 InAs 表面进行钝化有效性的证据。测量了核壳纳米线和未钝化纳米线的电子迁移率随温度的变化关系，其中核壳纳米线的迁移率随温度降低而单调增加，这与未钝化纳米线中观察到的迁移率转折现象形成对比。我们认为这表明钝化纳米线在低温下的电离杂质散射减少，意味着表面态的减少。
引用
@article{arxiv.1209.2767,
title = {Electron Transport in InAs-InAlAs Core-Shell Nanowires},
author = {Gregory W. Holloway and Yipu Song and Chris M. Haapamaki and Ray R. LaPierre and Jonathan Baugh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2767},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 4 figures; newest version has reference numbers corrected