单晶晶体的表面性质
材料科学
2007-05-23 v1 统计力学
摘要
我们提出了在分子束外延 (MBE) 及相关晶体生长方法(如原子层外延 ALE)所处环境下的晶体表面的模型。除了对 II-VI 半导体如 CdTe 和 ZnSe 的 (001) 重构表面进行详细建模外,我们还研究了解决晶体外延基本性质如动力学粗糙化和山丘 coarsening 的通用模型。CdTe 和 ZnSe (001) 平面在热平衡下的格子气体模型建议,将低温下的 (2x2) 重构与高温下的 (2x1) 重构之间的转变解释为 order-disorder 相变的伴随效应。我们将该格子气体模型推广到三维晶体模型。使用其中一种模型,我们进行了(在我们所知范围内)首次的 ALE 模拟。我们应用 WTMM 方法来研究由 MBE 在简单立方晶体表面模拟得到的动力学粗糙表面的尺度性质。我们的结果支持 Family-Vicsek 尺度的推广。我们指出,这是当满足动态尺度不变性且表面唯一相关长度尺度为关联长度时,最一般的尺度行为。最后,我们考虑不同晶体结构晶体表面山丘的 coarsening。我们发现,与 Siegert 等人和 Golubovic 等人的连续理论结果不同,动力学指数与表面对称性无关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211581,
title = {Surface properties of epitaxially grown crystals},
author = {Martin Ahr},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211581},
year = {2007}
}
备注
PhD thesis. 119 pages, 89 figures