II-VI 半导体 (001) 面的建模
材料科学
2009-11-07 v1 统计力学
摘要
首先，我们提出了一个具有各向异性相互作用的二维晶格气体模型，用以解释 CdTe(001) 表面从主导 c(2x2) 排序过渡到 Cd 原子局部 (2x1) 排列的平衡相变。其通过传递矩阵和蒙特卡罗技术分析，表明竞争重构的微小能量差在很大程度上决定了不同相的本质。随后，该晶格气体被扩展为三维晶体模型，对 CdTe 在蒸发和原子层外延中观察到的许多特征特征进行定性再现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107630,
title = {Modelling (001) surfaces of II-VI semiconductors},
author = {M. Ahr and M. Biehl and T. Volkmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107630},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures